




led芯片组成及发光
led晶片的组成:主要有申(as)铝(al)家(ga)铟(in)磷(p)氮(n)---(si)这几种元素中的若干种组成。
led晶片的分类:
1、按发光亮度分:
a、一般亮度:r、h、g、y、e等
b、高亮度:vg、vy、sr等
c、亮度:ug、uy、ur、uys、urf、ue等
d、不可见光(红外线):r、sir、vir、hir
e、红外线接收管:pt
f、光电管:pd
2、按组成元素分:
a、二元晶片(磷、家):h、g等
b、三元晶片(磷、家、申):sr、hr、ur等
c、四元晶片(磷、铝、家、铟):srf、hrf、urf、vy、hy、uy、uys、ue、he、ug
在晶片上生长为外延片的步骤:
在单晶衬底上生长一薄层单晶工艺,称为外延;长有外延层的晶体片称为外延片;外延材料是led的部分。led的波长、亮度、正向电压等主要光电参数基本上取决于外延材料。 外延技术和设备分气相外延、液相外延、金属有机化合物气相外延(mocvd),目前主流方式为 mocvd,而 mocvd 外延炉则是 led 外延片和芯片制造过程中的蕞重要的设备,在2008年前后时期,一套 mocvd 设备需要上千万人民i币左右。
把衬底放到外延炉中,然后控制化合物气体在衬底上沉积,就像植物从地下生长上来一样,化合物沉积到衬底上好像从衬底上生长上来的一样,led模组厂家,所以称之为外延片生长。需要生长多层微米级别的不同层。
蓝光led通常采用al2o3衬底,al2o3衬底硬度---、热导率和电导率低,如果采用正装结构,uv led模组报价,一方面会带来防静电问题,另一方面,在大电流情况下散热也会成为较为主要的问题。
同时由于正面电极朝上,浙江led模组,会遮掉一部分光,发光效率会降低。
大功率蓝光led通过芯片倒装技术可以比传统的封装技术得到更多的有效出光。
现在主流的倒装结构做法是:首先制备出具有适合共晶焊接电极的大尺寸蓝光led芯片,同时制备出比蓝光led芯片略大的硅衬底,并在上面制作出供共晶焊接的金导电层及引出导线层(超声金丝球焊点)。
然后,利用共晶焊接设备将大功率蓝光led芯片与硅衬底焊接在一起。
这种结构的特点是外延层直接与硅衬底接触,硅衬底的热阻又远远低于蓝宝石衬底,所以散热的问题---地解决了。
由于倒装后蓝宝石衬底朝上,成为出光面,蓝宝石是透明的,因此出光问题也得到解决。
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