uv led模组-led模组-杰生半导体公司

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    2023-12-7

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在晶片上生长为外延片的步骤:

在单晶衬底上生长一薄层单晶工艺,称为外延;长有外延层的晶体片称为外延片;外延材料是led的部分。led的波长、亮度、正向电压等主要光电参数基本上取决于外延材料。 外延技术和设备分气相外延、液相外延、金属有机化合物气相外延(mocvd),目前主流方式为 mocvd,而 mocvd 外延炉则是 led 外延片和芯片制造过程中的蕞重要的设备,在2008年前后时期,led模组价格,一套 mocvd 设备需要上千万人民i币左右。

把衬底放到外延炉中,然后控制化合物气体在衬底上沉积,就像植物从地下生长上来一样,化合物沉积到衬底上好像从衬底上生长上来的一样,所以称之为外延片生长。需要生长多层微米级别的不同层。






电极加工也是制作led芯片的关键工序,包括清洗、蒸镀、黄光、化学蚀刻、熔合、研磨;然后对衬底进行划片、测试和分选,uv led模组,就可以得到所需的led芯片。

如果晶片清洗不够干净,蒸镀系统不正常,会导致蒸镀出来的金属层(指蚀刻后的电极)会有脱落,金属层外观变色,金泡等异常。

蒸镀过程中有时需用弹簧夹固定晶片,因此会产生夹痕(在目检必须挑除)。黄光作业内容包括烘烤、上光阻、照相---、显影等,若显影不完全及光罩有破洞会有发光区残多出金属。晶片在前段制程中,各项制程如清洗、蒸镀、黄光、化学蚀刻、熔合、研磨等作业都必须使用镊子及花篮、载具等,因此会有晶粒电极刮伤情形发生。






蓝光led通常采用al2o3衬底,al2o3衬底硬度---、热导率和电导率低,如果采用正装结构,一方面会带来防静电问题,另一方面,在大电流情况下散热也会成为较为主要的问题。

同时由于正面电极朝上,会遮掉一部分光,发光效率会降低。

大功率蓝光led通过芯片倒装技术可以比传统的封装技术得到更多的有效出光。

现在主流的倒装结构做法是:首先制备出具有适合共晶焊接电极的大尺寸蓝光led芯片,同时制备出比蓝光led芯片略大的硅衬底,并在上面制作出供共晶焊接的金导电层及引出导线层(超声金丝球焊点)。

然后,利用共晶焊接设备将大功率蓝光led芯片与硅衬底焊接在一起。

这种结构的特点是外延层直接与硅衬底接触,硅衬底的热阻又远远低于蓝宝石衬底,所以散热的问题---地解决了。

由于倒装后蓝宝石衬底朝上,成为出光面,蓝宝石是透明的,led模组,因此出光问题也得到解决。

以上就是led技术的相关知识,相信随着科学技术的发展,未来的led灯回越来越高i效,使用寿命也会由很大的提升,为我们带来便利。






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