led 外延片工艺流程如下：
衬底 - 结构设计- 缓冲层生长- n型gan 层生长- 多量i子阱发光层生- p 型gan 层生长- 退火- 检测（光荧光、x 射线） - 外延片；
外延片- 设计、加工掩模版- 光刻- 离子刻蚀- n 型电极（镀膜、退火、刻蚀） - p 型电极（镀膜、退火、刻蚀） - 划片- 芯片分检、分级
具体介绍如下：
固定：将单晶硅棒固定在加工台上。
切片：将单晶硅棒切成具有精i确几何尺寸的薄硅片。此过程中产生的硅粉采用水淋，产生废水和硅渣。
退火：双工位热氧化炉经氮气吹扫后，用红外加热至300~500℃，硅片表面和氧气发生反应，使硅片表面形成二氧化硅保护层。
倒角：将退火的硅片进行修整成圆弧形，防止硅片边缘破i裂及晶格缺陷产生，增加磊晶层及光阻层的平坦度。此过程中产生的硅粉采用水淋，led芯片多少钱，产生废水和硅渣。
分档检测：为---硅片的规格和，对其进行检测。此处会产生废品。
研磨：用磨片i剂除去切片和轮磨所造的锯痕及表面损伤层，佛山led芯片，有效---单晶硅片的曲度、平坦度与平行度，达到一个抛光过程可以处理的规格。此过程产生废磨片i剂。
清洗：通过有机i溶剂的溶解作用，led芯片批发，结合超声波清洗技术去除硅片表面的有机杂质。此工序产生有机废气和废有机i溶剂。
rca清洗：通过多道清洗去除硅片表面的颗粒物质和金属离子。
led模组的产品特性：
特性1：高能效 高流明输出，极低光衰。
特性2：紫外线及红外线辐射几乎为零。
特性3：防尘防雨，防护等级达到ip66。
特性4：大视角发光，led芯片价格，满足不同视距及正视和侧视时发光强度，需一致的视觉要求。
led模组应用范围
外发光标识 、立体字，笔划繁复的面板发光字 、灯箱等。
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外延生长的基本原理是：在一块加热至适当温度的衬底基片(主要有蓝宝石和、sic、si)上，气态物质ingaalp有控制的输送到衬底表面，生长出特定单晶薄膜。
目前led外延片生长技术主要采用有机金属化学气相沉积方法。
mocvd介绍：
金属有机物化学气相淀积(metal-organic chemical vapor depoisition，简称 mocvd)， 1968年由美国洛克威尔公司提出来的一项制备化合物半导体单品薄膜的新技术。
该设备集精密机械、半导体材料、真空电子、流体力学、光学、化学、计算机多学科为一体，是一种自动化程度高、价格昂贵、技术集成度高的尖i端光电子设备，主要用于gan(氮化家)系半导体材料的外延生长和蓝色、绿色或紫外发光二极管芯片的制造，也是光电子行业蕞有发展前途的设备之一。
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