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一般来说，led外延生产完成之后她的主要电性能已定型，led芯片制造不对其产甞核本性改变，但在镀膜、合金化过程中不恰当的条件会造成一些电参数的---。

比如说合金化温度偏低或偏高都会造成欧姆接触---，欧姆接触---是芯片制造中造成正向压降vf偏高的主要原因。

在切割后，如果对芯片边缘进行一些腐蚀工艺，对---芯片的反向漏电会有较好的帮助。

这是因为用金刚石砂轮刀片切割后，芯片边缘会残留较多的碎屑粉末，led模组价格，这些如果粘在led芯片的pn结处就会造成漏电，甚至会有击穿现象。

另外，如果芯片表面光刻胶剥离不干净，将会造成正面焊线难与虚焊等情况。

如果是背面也会造成压降偏高。在芯片生产过程中通过表面粗化、划成倒梯形结构等办法可以提高光强。

说到led芯片行业的发展历史，离不开几个重要的时间节点。2003年6月，科技部首i次提出要发展半导体照明；2006年“十一五”将半导体照明工程作为的一个重大工程进行推动；2009年开始，各地对于led芯片制造厂商采购mocvd予以补贴，国内led芯片厂商收入与净利润增加，同时竞争者数量不断---，行业竞争加剧。

2011年---正式发布淘汰白炽灯的公告及路线图，明确提出2016年将全i面禁止白炽灯的销售。2011年至2016年这几年是淘汰白炽灯的过渡期，同时也是led照明行业的快速发展期。进入 2016 年以后，各大led芯片厂扩产带来的产能释放，行业洗牌前夕来临。由于产能过剩，led芯片引起激烈的价格竞争，导致不少芯片厂商营收和净利润双双下降，众多中小厂商被i迫退出市场。

国外厂商也开始调整策略，对国际大厂来说，他们在技术成熟的led通用市场已失去明显的竞争优势，切断led“残腕”或是明智之举，为避免激烈竞争造成的损失扩大。