




分子束外延法属于物理气相沉积pvd里的真空蒸发法的一种,广泛用于制造各种光集成器件和各种超晶格结构薄膜。
芯片制造全部工艺的成品叫做晶圆wafer,前道工艺流程中的一个环节是薄膜沉积,也就是真空镀膜,分子束外延就是薄膜沉积的一种方法,在裸硅片(或者其他衬底)上利用分子束外延法镀上多层薄膜,形成该芯片所需要的结构,浙江led模组,用分子束外延法制作出来的已经完成镀膜的半成品就是外延片,uv led模组报价,外延片再经过光刻、刻蚀、清洗、离子注入等工艺环节,再经过打线、bonder、fcb、bga植球、检测等后道工艺形成的成品就是晶圆wafer。
我国led芯片发展历程
2003年6月科技部首i次提出我国发展半导体照明,标志着我国半导体照明项目正式启动。
2006年的“十一五”将半导体照明工程作为的一个重大工程进行推动,在---和资金的倾斜支持下,2010年我国led产业规模超1500亿元。
2011年---正式发布淘汰白炽灯的公告及路线图,明确提出2016年将全i面禁止白炽灯的销售。2011年至2016年为淘汰白炽灯的过渡期,同时也是led照明行业的快速发展期。
led产业起步阶段,芯片主要依赖进口。近年来,led模组批发,在---支持下,我国led芯片厂商加大研发投入,国内led芯片行业发展迅速,产能逐渐向---转移,2017年国内led芯片供过于求苗头初现,主流芯片厂开始转向高i端产能并进行扩产。
外延生长的基本原理是:在一块加热至适当温度的衬底基片(主要有蓝宝石和、sic、si)上,气态物质ingaalp有控制的输送到衬底表面,生长出特定单晶薄膜。
目前led外延片生长技术主要采用有机金属化学气相沉积方法。
mocvd介绍:
金属有机物化学气相淀积(metal-organic chemical vapor depoisition,简称 mocvd), 1968年由美国洛克威尔公司提出来的一项制备化合物半导体单品薄膜的新技术。
该设备集精密机械、半导体材料、真空电子、流体力学、光学、化学、计算机多学科为一体,是一种自动化程度高、价格昂贵、技术集成度高的尖i端光电子设备,主要用于gan(氮化家)系半导体材料的外延生长和蓝色、绿色或紫外发光二极管芯片的制造,也是光电子行业蕞有发展前途的设备之一。
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