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电子芯片和led芯片有什么主要区别？

1，芯片的裸die尺寸相差不是太大，如cm/mm/0.1mm这个量级，但同样大小的集成电路里面有非常复杂的电路（常说的7nm/10nm工艺），ic设计和制造一样为非常复杂高难度的工程，由此衍生既像intel、三星这样设计制造一体的公司，也有高通、苹果这样的fabless公司及台积电这样的代工厂；而分立器件一颗die就是独立的一个发光源再加上正负电极，里面的制程可能100um/10um级就够了，制造工艺流程也简单很多，从头到尾一百次左右工序就差不多了。更谈不上独立的led ic设计公司。

2，芯片制造厂对清洁和低缺陷率要求---，前者可能影响性能，缺陷多了，led外延片多少钱，载流子移动速度上不来，如同一批货，有的能跑2.8ghz频率，有的只能跑2g以下；led芯片对发光层缺陷率的要求比硅器件还要高几个数量级（印象中数据），否则---影响发光效率，也就是很大部分能量以热能形式损失掉了。led技术和产品已有几十年历史，但---使用（如液晶屏幕背光）是这二十年来的事情，材料不行导致发光效率低是首要原因。

蓝光led通常采用al2o3衬底，al2o3衬底硬度---、热导率和电导率低，如果采用正装结构，一方面会带来防静电问题，另一方面，在大电流情况下散热也会成为较为主要的问题。

同时由于正面电极朝上，会遮掉一部分光，发光效率会降低。

大功率蓝光led通过芯片倒装技术可以比传统的封装技术得到更多的有效出光。

现在主流的倒装结构做法是：首先制备出具有适合共晶焊接电极的大尺寸蓝光led芯片，同时制备出比蓝光led芯片略大的硅衬底，并在上面制作出供共晶焊接的金导电层及引出导线层(超声金丝球焊点)。

然后，利用共晶焊接设备将大功率蓝光led芯片与硅衬底焊接在一起。

这种结构的特点是外延层直接与硅衬底接触，硅衬底的热阻又远远低于蓝宝石衬底，所以散热的问题---地解决了。

由于倒装后蓝宝石衬底朝上，成为出光面，蓝宝石是透明的，因此出光问题也得到解决。

以上就是led技术的相关知识，相信随着科学技术的发展，未来的led灯回越来越高i效，使用寿命也会由很大的提升，为我们带来便利。