外延片处于led产业链中的上游环节，包括原材料、衬底材料及设备这三大领域。在led外延片生长、芯片、芯片封装这三个环节中，外延片生长投资要占到70%，外延片成本要占到封装成品的70%。
外延片生长主要依靠生长工艺和设备。制造外延片的主流方法是采用金属有机物化学气相沉积（mocvd），但即使是这种“蕞经济”的方法，其设备制造难度也非常大。国际上只有德国、美国、英国、日本等少数中数量非常有限的企业可以进行商业化生产。
外延片材料主要是硅，硅外延片也是当前外延片的主体。多晶硅、硅单晶及硅片等外延片制造材料几乎全部为信越（本部在日本，led芯片报价，马来西亚、美国、英国）、memc（本部在美国，意大利、日本、韩国、马来西亚、台湾）、wacker（本部在德国，美国、新加坡）、三菱（本部在日本，美国、印度尼西亚）等公司所控制，这四家公司的市场占有率近70%。这些公司除了本部之外，都在其它和地区设厂，是跨国生产与经营的公司。
---延片市场的基本格局是外资企业产品技术占据---，led芯片厂家，本土厂商逐步---。近年来，下游应用市场的繁荣带动了我国led产业迅猛发展，外延片市场也迎来发展良机。国内led外延片产能快速提升，技术水平不断进步，产品已开始进入中高挡次。
为进一步完善led产业链，“十二五”期间各级继续加强对上游外延片领域基础研究的投入，中下游企业也在积极向上游拓展。外延片作为led器件中的前端高技术产品，我国在这一领域的企业竞争目前仍处于“蓝海”阶段，led芯片价格，国内led外延片市场发展前景乐观。
led芯片材料磊晶种类
1.lpe：liquid phase epitaxy(液相磊晶法) gap/gap
2.vpe：vapor phase epitaxy(气相磊晶法) gaasp/gaas
3.movpe：metal organic vapor phase epitaxy (有机金属气相磊晶法) algainp、gan
4.sh：gaalas/gaas single heterostructure(单异型结构)gaalas/gaas
5.dh：gaalas/gaas double heterostructure(双异型结构) gaalas/gaas
6.ddh：gaalas/gaalas double heterostructure(双异型结构) gaalas/gaalas
一般来说，镇江led芯片，led外延生产完成之后她的主要电性能已定型，led芯片制造不对其产甞核本性改变，但在镀膜、合金化过程中不恰当的条件会造成一些电参数的---。
比如说合金化温度偏低或偏高都会造成欧姆接触---，欧姆接触---是芯片制造中造成正向压降vf偏高的主要原因。
在切割后，如果对芯片边缘进行一些腐蚀工艺，对---芯片的反向漏电会有较好的帮助。
这是因为用金刚石砂轮刀片切割后，芯片边缘会残留较多的碎屑粉末，这些如果粘在led芯片的pn结处就会造成漏电，甚至会有击穿现象。
另外，如果芯片表面光刻胶剥离不干净，将会造成正面焊线难与虚焊等情况。
如果是背面也会造成压降偏高。在芯片生产过程中通过表面粗化、划成倒梯形结构等办法可以提高光强。
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