led模组-马鞍山杰生有限公司-uv led模组

外延片的生长工艺有很多流程，需要很多高菁尖设备，uv led模组报价，生长出来的外延片直接决定了 led 的波长、亮度、正向电压等主要的光电参数。外延片的生长基本原理是在一块加热至适当温度的衬底基片（主要有蓝宝石、sic 碳化硅、si 硅）上，气态物质 in ga al p(铟 家 铝 磷) 有控制的输送到衬底表面，生长出特定单晶薄膜。

目前主要的外延片衬底材料有蓝宝石、碳化硅和硅。不同的衬底材料有不同的光电特性，价格差别也很大。外延片制造过程如下：

先把晶棒切片，切片需要注意晶面的结晶方向、晶片的厚度、晶面的斜度和曲度；切片后为了防止晶片边缘碎裂、防止热应力集中以及增加外延层的平坦度 需要把晶边磨圆，然后还需要蚀刻(shí kè)，蚀刻的目的在于把前面机械加工所造成的损伤给去掉，蚀刻需要用到晶片研磨机；下一步需要将晶片置于炉管中施以惰性气体加热30分钟至一小时，再在空气中快速冷却，可以将所有氧杂质去除，这样晶片的电性（阻值）仅由载流子杂质来控制，从而稳定电阻，这一步需要使用到高温快速热处理设备；然后使用抛光机再给晶片抛光；再然后就是使用晶片清洗机来清洗晶片，用rca溶液（双i氧水＋---或又氧水＋---），将前面工序所形成的污染清除，蕞后在无尘环境中严格检查晶片表面的洁净度、平坦度---符合规格要求，蕞后包装到特殊的容器中保存。

电子芯片和led芯片有什么主要区别？

1，led模组，芯片的裸die尺寸相差不是太大，如cm/mm/0.1mm这个量级，但同样大小的集成电路里面有非常复杂的电路（常说的7nm/10nm工艺），ic设计和制造一样为非常复杂高难度的工程，由此衍生既像intel、三星这样设计制造一体的公司，也有高通、苹果这样的fabless公司及台积电这样的代工厂；而分立器件一颗die就是独立的一个发光源再加上正负电极，里面的制程可能100um/10um级就够了，制造工艺流程也简单很多，从头到尾一百次左右工序就差不多了。更谈不上独立的led ic设计公司。

2，芯片制造厂对清洁和低缺陷率要求---，前者可能影响性能，缺陷多了，载流子移动速度上不来，如同一批货，有的能跑2.8ghz频率，有的只能跑2g以下；led芯片对发光层缺陷率的要求比硅器件还要高几个数量级（印象中数据），否则---影响发光效率，也就是很大部分能量以热能形式损失掉了。led技术和产品已有几十年历史，但---使用（如液晶屏幕背光）是这二十年来的事情，材料不行导致发光效率低是首要原因。